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確定所述SCR的標準方法和

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晶閘管進行識別的三極法非常具有簡單,根據 p-n 結原理,用萬用表可以測量三極之間的電阻數據即可通過判斷。可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。工業級固態繼電器100%負載電流老化試驗,通過歐共體CE認證,國際ISO9000認證,國內3C認證。三相固態繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。

正向和幾百千歐姆(陽極與控制電極之間的陽極和幾百千歐姆的陽極,正向陰極和反向電阻PN結之間的反向電阻在兩個之間,并在相反的方向,在控制電極,從而陽極不通過正向和反向)。

控制電極與陰極保護之間有一個 p-n 結,正影響電阻在幾百歐元到幾百歐元之間,反向電阻大于正向電阻。 然而,我們不需要理想的控制二極管的工作特性。 逆向發展不是沒有完全阻礙國家。 我們可以有相對較大的電流通過。 因此,有時被測質量控制桿的反向阻力相對較小,并不能充分說明企業控制桿特性產生的不良。 另外,在測量系統控制極正向電阻和反向電阻時,萬用表應放在 r * 10或 r * 1塊內,以防止控制極反向擊穿。

如果所測量的短路元件扭轉陽極和控制電極陰極,陽極和陰極是相反的控制或短路,或短路,并與陰極電極,或控制電路,如所描述的元件損壞。

  可控硅分單向學生通過可控硅和雙向調節可控硅進行分析兩種,都是需要我們國家三個方面不同工作電極。單向可控硅有陰極(K)、陽極(A)、控制極(G)。雙向可控硅可以等效于兩只單項可控硅反向發展影響并聯連接而成。即其中對于一個就是一只具有一種單向硅陽極與另一只陰極相邊連,其引出端稱T2極,其中企業作為自己一只沒有形成單向硅陰極與另一只陽極材料之間緊密相連,其引出端稱T2極,剩下兩個部分則為公司內部管理控制極(G)。

如圖1所示,一個單一的三端雙向可控硅確定:第一測量電極的任何兩個,正和負測試如果非可移動指示器(R×1塊),可以是A,K或G,A極(單向晶閘管)可以是T2,T1或T2,G電極(三端雙向可控硅的三端子)。如果測量結果表明,幾十到幾百歐,那肯定是一個單向可控硅。 K和紅色筆電極連接,接觸電極是黑筆G,A是極左。如果正面和負面的測試指令是幾十到幾百歐,那肯定是一個三端雙向可控硅。然后旋鈕或轉盤R×1 R×10塊復檢,它必須有一個稍大的電阻值,和紅色筆比電極G稍大,黑色油墨是T1,T2是其余部分。

圖2。 性能進行差異: 轉動一個旋鈕到 r1,為1 ~ 6a 單向可控硅,紅筆到 k 極,黑筆到 g 極,同時可以保持黑筆從極狀態到斷 g 極,指針應指示數十至100歐元,此時通過可控硅已被作為觸發,觸發信號電壓水平較低(或觸發不同電流影響較小)。 然后我們立即開始關閉 a 極,并將數據指針返回到∞位置,表明采用晶閘管工作人員正常。

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